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BSZ123N08NS3 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.3 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 33µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 40V; 功率_最大：66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：剪切帶 (CT)

BSZ123N08NS3 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.3 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 33µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 40V; 功率_最大：66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：Digi-Reel®

BSZ123N08NS3 G詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：80V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：40A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.3 毫歐 @ 20A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3.5V @ 33µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 40V; 功率_最大：66W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerVDFN; 供應商設備封裝：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包裝：帶卷 (TR)

BF1201R,215
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C901U209CVNDAAWL20
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配件 OKI/Metcal 徑向，圓盤 MIRROR REFLOW INSPECTION
BF1202,215
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BFG135,115
RF 晶體管 (BJT) NXP Semiconductors TO-261-4，TO-261AA TRANS NPN 150MA 15V 7GHZ SOT223
C901U209CVNDAAWL45
陶瓷 Kemet 徑向，圓盤 CAP CER 2PF 400V RADIAL
BGA-SPY
配件 OKI/Metcal 徑向，圓盤 MIRROR REFLOW INSPECTION
8-1879685-8
通孔電阻器 TE Connectivity 軸向 RES 100K OHM 1/4W 0.1% AXIAL
BF1203,115
RF FET NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP
BSZ16DN25NS3 G
FET - 單 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON

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